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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Chen J Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Fan WJ Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Y; Li Y ; Fan ZC; Xing B; Yu YD; Yu JZ; Liu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liuyan@semi.ac.cn
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| Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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Emission |
| Diffractive Grating Based Out-of-Plane Coupling between Silicon Nanowire and Optical Fiber 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Li ZY; Zhu Y; Zhou L; Li YT; Han WH; Fan ZC; Yu YD; Yu JZ; Li, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li Yan; Wang Xiaofeng; Zhang Jiayong; Wang Xiaodong; Fan Zhongchao; Yang Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia Liang; Zhang Fan; Li Ming; Liu Yuliang; Chen Zhangyuan
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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