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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu ; G.G. Yan ; B. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ning Zhuo; Jin-Chuan Zhang; Feng-Jiao Wang; Ying-Hui Liu; Shen-Qiang Zhai; Yue Zhao; Dong-Bo Wang; Zhi-Wei Jia; Yu-Hong Zhou; Li-Jun Wang; Jun-Qi Liu; Shu-Man Liu; Feng-Qi Liu; Zhan-Guo Wang; Jacob B. Khurgin; and Greg Sun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: J. H. Meng; X. W. Zhang; H. Liu; Z. G. Yin; D. G. Wang; Y. Wang; J. B. You; J. L. Wu
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| 4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 刘斌
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4h-sic 碳化硅 快速外延生长 Fast Epitaxial Growth |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G.; Chen, Y.H.(yhchen@red.semi.ac.cn)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu JQ (Liu J. Q.); Xu B (Xu B.); Ye XL (Ye X. L.); Wang ZG (Wang Z. G.)
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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