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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/227  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1213/213  |  提交时间:2012/09/09 |
| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1124/194  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:915/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:932/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:878/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:661/97  |  提交时间:2014/10/31 |
| 材料的微区应力测试系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 高寒松; 陈涌海; 刘雨; 张宏毅; 黄威; 朱来攀; 李远; 邬庆 Adobe PDF(513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:952/117  |  提交时间:2014/11/24 |
| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:602/2  |  提交时间:2016/09/29 |