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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Chen J (Chen J.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Li SS (Li S. S.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, China Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li D. Y.);  Huang YZ (Huang Y. Z.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Ye XJ (Ye X. J.);  Chong M (Chong M.);  Chen LH (Chen L. H.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect & Nanooptoelec, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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