降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺
2006-01-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-06-28
语种中文
申请号CN200410049770.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3159
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
高欣,孙国胜,李晋闽,等. 降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法[P]. 2006-01-04.
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