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| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gao F; Huang DD; Li JP; Liu C ; Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Ran JX; Fang CB; Li JP; Zeng YP; Li JM; Liu XY; Liu J; Qian H; Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江德生; 刘建平; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang DS; Liu JP; Yang H; Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平; 张富强
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作者: 高兴国; 刘超; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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作者: 刘超; 李建平; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 金瑞琴; 朱建军; 赵德刚; 刘建平; 张纪才; 杨辉
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