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III 族氮化物结构与光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  张纪才
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Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650
Authors:  Shen Xiaoming;  Wang Yutian;  Wang Jianfeng;  Liu Jianping;  Zhang Jicai;  Guo Liping;  Jia Quanjie;  Jiang Xiaoming;  Hu Zhengfei;  Yang Hui;  Liang Junwu
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在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333
Authors:  刘仕锋;  秦国刚;  尤力平;  张纪才;  傅竹西;  戴伦
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p型GaN的掺杂研究 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 508-512
Authors:  金瑞琴;  朱建军;  赵德刚;  刘建平;  张纪才;  杨辉
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GaN生长速率的研究 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 726-729
Authors:  金瑞琴;  赵德刚;  刘建平;  张纪才;  杨辉
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In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
Authors:  张纪才;  王建峰;  王玉田;  杨辉
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