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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(569Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1581/437  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1330/285  |  提交时间：2010/11/15
Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：914/225  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Ding D;  Xu B;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/321  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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Znse/gaas Interface  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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