Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Xu B; Liang JB; Qian JJ; Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
1998
会议名称6th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-6)
会议录名称APPLIED SURFACE SCIENCE, 123
页码343-346
会议日期JUN 23-27, 1997
会议地点CARDIFF, WALES
出版地PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS
出版者ELSEVIER SCIENCE BV
ISSN0169-4332
部门归属hong kong univ sci & technol, dept phys, kowloon, hong kong; chinese acad sci, inst semicond, lab semicond mat sci, beijing 100083, peoples r china
摘要The steplike density of states obtained from reflectance-difference spectroscopy demonstrates that ultrathin InAs layers should be regarded as two-dimensional quantum wells rather than isolated clusters, even for the sample with only 1/3 monolayer InAs in (311)-oriented GaAs. The degree of anisotropy is within the intrinsic anisotropy of (311)-oriented ultrathin quantum wells, indicating that there is little structural or strain anisotropy in the InAs islands. (C) 1998 Elsevier Science B.V.
关键词Znse/gaas Interface States
学科领域半导体材料
主办者British Assoc Crystal Growth.; British Tourist Author.; Inst Phys.; Wales Tourist Board.; Welsh Dev Agcy.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15097
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
推荐引用方式
GB/T 7714
Chen YH,Yang Z,Wang ZG,et al. Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix[C]. PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS:ELSEVIER SCIENCE BV,1998:343-346.
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