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一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  朱建军
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AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  刘乃鑫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K;  Zhang BP Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: bzhang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1081/256  |  提交时间：2010/03/08
Growth behavior of AlInGaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2184/416  |  提交时间：2010/03/09
Scanning Electron Microscope  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BZ;  Wang XL;  Wang BZ Hebei Univ Sci & Technol Inst Informat Sci & Technol Shijiazhuang 050018 Peoples R China. E-mail Address: wangbz@semi.ac.cn
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：862/263  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn;  hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  王晓亮
Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：802/214  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Wu CM;  Cai LE;  Zhang JY;  Yu JZ;  Wang QM;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, 422 SiMing Rd S, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
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AlInGaN 四元合金的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  王飞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J (Li, Jun);  Shi, SL (Shi, S. L.);  Wang, YJ (Wang, Y. J.);  Xu, SJ (Xu, S. J.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Yang, H (Yang, H.);  Lu, F (Lu, F.);  Li, J, Fudan Univ, Dept Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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