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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 非线性光学吸收在GaAs晶体里诱导出的干涉环 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 尚玲玲
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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 余丁
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| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
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Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| 面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 白永彪
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| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 曹可慰
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锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
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