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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 冯银红
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
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Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 陶东言
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稀磁半导体 Gan Gasb 表面钝化 肖特基器件 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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| 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱峰; 李京波
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