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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Tang L;  Wang YL;  Wang ZG;  Xu B;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangchl@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1179/354  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang YL;  Zhao C;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1104/353  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1181/262  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Yuoyuan;  Wang Zhanguo;  Xu Bo;  Jin Peng;  Zhang Chunling;  Guo Xia;  Chen Min
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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/327  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Yang CL;  Wei YQ;  Ye XL;  Jin P;  Li CM;  Meng XQ;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1144/303  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Zhang YC;  Xu B;  Wang ZG;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Reflectance-difference Spectroscopy  Indium Segregation  Ingaas/gaas Quantum Wells  Epitaxy-grown Ingaas/gaas  Surface Segregation  Interface