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解理面预处理方法对二次外延的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
Authors:  张春玲;  唐蕾;  徐波;  陈涌海;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
Authors:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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GaAs 基InAs 量子点和量子线的控位生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  张春玲
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Wet Oxidation of AlxGa1-xAs/GaAs Distributed Bragg Reflectors 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1519-1523
Authors:  Li Yuoyuan;  Wang Zhanguo;  Xu Bo;  Jin Peng;  Zhang Chunling;  Guo Xia;  Chen Min
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InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305
Authors:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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半导体量子点及其应用(Ⅰ) 期刊论文
物理, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 249-256
Authors:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
Authors:  张春玲;  赵凤瑗;  徐波;  金鹏;  王占国
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半导体量子点及其应用(Ⅱ) 期刊论文
物理, 2004, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 327-334
Authors:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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