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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 全宇军; 韩培德; 陆晓东; 叶志成; 窦金锋; 吴黎 Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:936/315  |  提交时间:2010/11/23 |
| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003 作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1610/329  |  提交时间:2010/10/29 Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/309  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Han PD; ( ) Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:649/179  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang HF; Han PD; Cheng LS; Zhang Z; Duan SK; Teng XG; Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(1003Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:948/224  |  提交时间:2010/08/12 |