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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1595/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1242/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1224/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍 Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1174/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 樊志军 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体光发射与探测耦合组件 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 夏永伟; 滕学公; 李国花; 樊志军 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/172  |  提交时间:2009/06/11 |