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掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  毛容伟;  滕学公;  王启明
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
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硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究 期刊论文
光子学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1783-1787
Authors:  毛容伟;  成步文;  李传波;  左玉华;  滕学公;  罗丽萍;  余金中;  王启明
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Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 271-275
Authors:  Mao Rongwei;  Zuo Yuhua;  Li Chuanbo;  Cheng Buwen;  Teng Xuegong;  Luo Liping;  Zhang Heshun;  Yu Jinzhong;  Wang Qiming
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半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 736
Authors:  韩培德;  杨海峰;  张泽;  段树坤;  滕学公
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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 318
Authors:  夏永伟;  滕学公
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GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 131
Authors:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军;  王守武
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半导体光发射与探测耦合组件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军
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一种硅的光探测器件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  夏永伟;  李国花;  滕学公;  樊志军
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染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 681
Authors:  夏永伟;  李国华;  滕学公;  樊志军
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