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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZD;  Gong Z;  Miao ZH;  Xu XH;  Ni HQ;  Niu ZC;  Fang ZD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Vapor-phase Epitaxy  Layers  Aln  
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:  Xu ZY;  Luo XD;  Yang XD;  Tan PH;  Yang CL;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Gaas1-xnx  Photoluminescence  Relaxation  
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 34 (5-8), FORTALEZA, BRAZIL, DEC 08-13, 2002
作者:  Wang ZG;  Wu J;  Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Inas Quantum Dots  Self-organization  Monolayer Coverage  Density  Gaas  Islands  Inp(001)  Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiu HX;  Chen NF;  Peng CT;  Xiu HX,Chinese Acad Sci,Key Lab Senicond Mat Sci,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu GQ;  Kong X;  Wang YQ;  Wan L;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Hu GQ,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu GQ;  Kong X;  Wan L;  Wang YQ;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Hu GQ,Chinese Acad Sci,Beijing Lab Electron Microscopy,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Tan PH;  Xu ZY;  Ge WK;  Tan PH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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