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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask 会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:  Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Yang H;  Liang JW;  Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Buffer Layer  Substrate  Diodes  Growth  
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Vapor-phase Epitaxy  Layers  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Shen XM;  Feng G;  Liu JP;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Shen XM;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Wang YT;  Zheng XH;  Zhang BS;  Chen J;  Feng G;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Feng G;  Zhang BS;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Fu Y;  Feng G;  Zhang BS;  Feng ZH;  Wang YT;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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