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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2004 [142]
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发表日期:2004
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40
45
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80
85
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期刊论文
作者:
Zhao FA
;
Chen YH
;
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhang CL
;
Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1101/242
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye F
;
Wang BS
;
Su ZB
;
Ye, F, Tsing Hua Univ, Ctr Adv Study, Beijing 100084, Peoples R China.
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浏览/下载:836/229
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:939/251
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bian LF
;
Jiang D
;
Liang XG
;
Lu SL
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:823/254
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang JC
;
Yu DP
;
Li CY
;
Zhou JF
;
Wang YZ
;
Feng SQ
;
Wang, JC, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: wwwangjc@sina.com
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浏览/下载:1018/343
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提交时间:2010/03/09
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhang ZY
;
Shi GX
;
Zhang CL
;
Wang YL
;
Liu FQ
;
Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1475/256
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提交时间:2010/03/29
Dots
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
;
Wang, Z, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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浏览/下载:1523/543
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提交时间:2010/03/09
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1725/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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浏览/下载:1610/329
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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浏览/下载:1520/365
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer