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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu XN (Xu Xiao-Na); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Li YQ (Li Yue-Qiang); Chen YL (Chen Yan-Ling); Ji A (Ji An); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Yang FH (Yang Fu-Hua) Adobe PDF(539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:916/277  |  提交时间:2013/04/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1271/322  |  提交时间:2010/04/26 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1623/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:964/87  |  提交时间:2014/11/05 |
| 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(754Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/195  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(759Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/193  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种复合膜片压力传感器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1656/210  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(686Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:879/92  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 季安; 张明亮; 杨香; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(701Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:964/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:767/3  |  提交时间:2016/09/28 |