SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
基于核壳结构的热电器件制备方法
王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2013-12-12
申请号CN201310681449.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25467
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王珍,祁洋洋,张明亮,等. 基于核壳结构的热电器件制备方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
基于核壳结构的热电器件制备方法.pdf(942KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[王珍]的文章
[祁洋洋]的文章
[张明亮]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[王珍]的文章
[祁洋洋]的文章
[张明亮]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[王珍]的文章
[祁洋洋]的文章
[张明亮]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。