| 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 |
| 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为导电桥存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为导电桥存储器的金属离子源；淀积一层绝缘材料作为金属离子的扩散层；淀积金属，作为导电桥存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200910091406.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910091406.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22385
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王晓峰,张加勇,王晓东,等. 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法. CN200910091406.4.
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