| 一种复合膜片压力传感器结构 | |
| 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种复合膜片压力传感器结构，包括：一单晶硅层，该单晶硅层的一面为凹型；一多孔硅层，该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。本发明在不影响低量程传感器灵敏度的前提下，采用多孔硅和单晶硅复合膜片，减小膜片的非线性形变，从而减小膜片挠度，最终达到提高低量程传感器灵敏度或降低非线性的目的。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 专利号 | CN200810224110.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200810224110.0 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22417 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓东,樊中朝,季安,等. 一种复合膜片压力传感器结构. CN200810224110.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200810224110.0.pdf（289KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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