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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [33]
作者
于芳 [2]
朱建军 [1]
文献类型
期刊论文 [26]
会议论文 [7]
发表日期
1998 [33]
语种
英语 [33]
出处
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发表日期:1998
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Gao WY
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Gao WY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Chemical Treatment
Quality
Technology
Films
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Yu Z
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1345/350
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提交时间:2010/10/29
Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Nie JP
;
Yu YH
;
Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sapphire Films
Silicon
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Nie JP
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Li GH
;
Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Silicon
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
;
Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Erbium-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yue GZ
;
Kong GL
;
Zhang DL
;
Ma ZX
;
Sheng SR
;
Liao XB
;
Zhang DL,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiang XB
;
Du WH
;
Chang XL
;
Liao XB
;
Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:942/360
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang YT
;
Cheng LS
;
Zhang Z
;
Wang LS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lswang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12