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| 用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丛光伟; 彭文琴; 吴洁君; 魏宏源; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备半导体衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨沁清; 李成; 欧海燕; 王红杰; 王启明 Adobe PDF(287Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1524/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1032/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:993/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:885/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:837/97  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种微区荧光扫描测量系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 秦旭东; 张宏毅; 叶小玲; 陈涌海 Adobe PDF(657Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:581/3  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 赵桂娟; 汪连山; 杨少延; 刘贵鹏; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/129  |  提交时间:2016/09/29 |