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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明 ; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明 ; 陈涌海; 王占国
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| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明 ; 范海波; 王占国
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| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明 ; 范海波; 王占国
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明 ; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明 ; 范海波; 王占国
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| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 键合强度可调节的柔性衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 陈涌海; 王占国
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