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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZC;  Xu B;  Chen YH;  Shi LW;  Liang ZM;  Wang ZG;  Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Gong Q;  Ding D;  Liu FQ;  Chen YH;  Jiang WH;  Ye XL;  Li YF;  Sun ZZ;  Zhang JF;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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Znse/gaas Interface  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨斌;  王占国;  陈涌海;  梁基本;  廖奇为;  林兰英;  朱战萍;  徐波;  李伟
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