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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD; Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn; yyxu@semi.ac.cn
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾湘波; 廖显伯; 刁宏伟; 向贤碧; 孔光临; 徐艳月
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| 平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 曾湘波; 徐艳月; 孔光临
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| VHF-PECVD法高速沉积氢化非晶/纳米晶相变阈硅薄膜及太阳能电池 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 徐艳月
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zeng XB; Liao XB; Bo W; Diao HW; Dai ST; Xiang XB; Chang XL; Xu YY; Hu ZH; Hao HY; Kong GL; Zeng, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 孔光临; 曾湘波; 徐艳月
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾湘波; 廖显伯; 王博; 刁宏伟; 戴松涛; 向贤碧; 常秀兰; 徐艳月; 胡志华; 郝会颖; 孔光临
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu ZH; Liao XB; Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Diao HW; Kong GL; Hu ZH,Chinese Acad Sci,State Lab Surface Phys,Inst Semiconductor,Beijing 100083,Peoples R China.
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