SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响
胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 孔光临; 曾湘波; 徐艳月
2004
Source Publication中国科学. E辑,技术科学
Volume34Issue:0Pages:5
Abstract用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.
metadata_83云南师范大学能源与环境科学学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重大基础研究规划项目(973)资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1857152
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17219
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响[J]. 中国科学. E辑,技术科学,2004,34(0):5.
APA 胡志华,廖显伯,刁宏伟,孔光临,曾湘波,&徐艳月.(2004).氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响.中国科学. E辑,技术科学,34(0),5.
MLA 胡志华,et al."氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响".中国科学. E辑,技术科学 34.0(2004):5.
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