SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池
胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 曾湘波; 徐艳月; 孔光临
2005
Source Publication太阳能学报
Volume26Issue:2Pages:187-191
Abstract该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院青藏高原综合观测研究站项目,中国科学院寒区旱区环境与工程研究所创新项目,国家重点基础研究发展规化项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1952736
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17123
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池[J]. 太阳能学报,2005,26(2):187-191.
APA 胡志华,廖显伯,刁宏伟,曾湘波,徐艳月,&孔光临.(2005).纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池.太阳能学报,26(2),187-191.
MLA 胡志华,et al."纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池".太阳能学报 26.2(2005):187-191.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4550.pdf(237KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[胡志华]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[胡志华]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[胡志华]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.