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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明 ; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁萌; 王国宏; 范曼宁; 郭德博; 刘广义; 马龙; 王良臣; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵谦; 潘教青; 张靖; 李宝霞; 周帆; 王宝军; 王鲁峰; 边静; 赵玲娟; 王圩
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| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍
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