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用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵谦;  潘教青;  张靖;  王圩
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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵谦;  潘教青;  王圩
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一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵谦;  潘教清;  周帆;  王宝军;  王圩
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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  潘教清;  赵谦;  王圩
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Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
Authors:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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Mocvd  Ingaas/ingaasp  Strained Quantum Well  Distributed Feedback Laser  Tunable Diode-laser  Quantum-well Laser  1.74 Mu-m  Spectrometer  Methane  Power  
高速电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成功能器件 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
Authors:  赵谦
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用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263
Authors:  赵谦;  潘教青;  张靖;  李宝霞;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  赵玲娟;  王圩
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超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 261-266
Authors:  赵谦;  潘教青;  张靖;  周光涛;  伍剑;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  王圩
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长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
Authors:  潘教青;  赵谦;  朱洪亮;  赵玲娟;  丁颖;  王宝军;  周帆;  王鲁峰;  王圩
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