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高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李传波;  毛容伟;  左玉华;  成步文;  余金中;  王启明
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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
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阵列波导光栅型梳状滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  窦金锋;  叶志成;  王红杰;  胡雄伟
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XX;  Zhang JG;  Ding L;  Cheng BW;  Ge WK;  Yu JZ;  Wang QM;  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangxiaoxin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Mao RW;  Zhao L;  Shi WH;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mao RW;  Zuo YH;  Li CB;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: maorongwei@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(57Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1003/322  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zuo YH;  Mao RW;  Zheng YY;  Shi X;  Zhao L;  Shi WH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Zuo, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrat Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhzuo@red.semi.ac.cn;  maorongwei@red.semi.ac.cn;  yyzheng@asee.buaa.edu.cn;  s810311@163.com;  leizhao@semi.ac.cn;  whshi@red.semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JG;  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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