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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1891/284  |  提交时间:2010/08/12 |
| 制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12 发明人: 韩培德 Adobe PDF(1063Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1378/178  |  提交时间:2010/08/12 |
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12 发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文 Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2038/292  |  提交时间:2010/08/12 |
| 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 陆全勇; 张 伟; 王利军; 高 瑜; 尹 雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1738/305  |  提交时间:2010/08/12 |
| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林 Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/188  |  提交时间:2010/03/19 |
| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1711/242  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1495/205  |  提交时间:2010/03/19 |
| AlN 晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 李巍巍 Adobe PDF(859Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/42  |  提交时间:2009/04/13 |
| 锰掺杂锑化镓晶体的性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 陈晓锋 Adobe PDF(6980Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:880/22  |  提交时间:2009/04/13 |
| 宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 范亚明 Adobe PDF(2738Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/36  |  提交时间:2009/04/13 |