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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Ying J;  Zhang XW;  Yin ZG;  Tan HR;  Zhang SG;  Fan YM;  Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
Inventors:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
Inventors:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  张兴旺;  范亚明;  陈诺夫 
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一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  张兴旺;  游经碧;  范亚明;  屈 盛;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Fan YM;  Zhang XW;  You JB;  Tan HR;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai F;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci A35 Qinghua Donglu Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Fan YM;  Zhang XW;  You JB;  Ying J;  Tan HR;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  范亚明
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai PF;  Chen NF;  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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