利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法
蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林 
2009-09-23
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4007
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-03-19
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810102197
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9064
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
蔡芳芳,范海波,张攀峰,等. 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法[P]. 2009-09-23.
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