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中国科学院半导体研究所机构知识库
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(380Kb)
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浏览/下载:1632/238
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(314Kb)
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Photoluminescence
Band Offset
Band Bowing Coefficient
Localized Exciton
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Temperature
Gaasn
Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth
会议论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 08-11, 2000
作者:
Liu GL
;
Wang W
;
Zhang JY
;
Chen WX
;
Xu GY
;
Zhang BJ
;
Zhou F
;
Wang XJ
;
Zhu HL
;
Liu GL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(199Kb)
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浏览/下载:1647/418
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提交时间:2010/10/29
Selective Area Growth
Multi-quantum-well
Distributed Bragg Reflector Laser
Mocvd
Tunable Laser
Epitaxy
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1540Kb)
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浏览/下载:1296/204
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提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
Sige
Refractive High Energy Electron Diffraction
Tansmission Electron Microscopy
Double Crystal X-ray Diffraction
Mobility 2-dimensional Electron
Critical Thickness
Strained Layers
Ge
Relaxation
Epilayers
Si1-xgex
Gesi/si
Gases
Single ridge waveguide electroabsorption modulated DFB laser for 2.5Gb/s transmission
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Liu GL
;
Wang W
;
Zhang BJ
;
Chen WX
;
Zhou F
;
Zhang JY
;
Wang XJ
;
Zhu HL
;
Liu GL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Movpe
Selective-area-growth
Electroabsorption Modulator
Distributed Feedback Laser
Ridge Waveguide
High-speed Digital Modulation
Optical Transmission
Light-source
Dbr Laser
Mqw
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu M
;
Guo X
;
Chen G
;
Han H
;
He M
;
Sun K
;
Zhu M,Univ Sci & Technol China,Grad Sch,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
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浏览/下载:1046/340
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Harrison I
;
Bell A
;
Ansell BJ
;
Winser AJ
;
Cheng TS
;
Foxon CT
;
Kawabe M
;
Kawabe M,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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浏览/下载:906/245
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YF
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Lin F
;
Wu J
;
Jiang WH
;
Ding D
;
Wang ZG
;
Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:774/204
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu DP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Zhang SM
;
Wu RH
;
Jia QJ
;
Zheng WL
;
Jiang XM
;
Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1127/331
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Y
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Xu DP
;
Yang H
;
Chen Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)
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提交时间:2010/08/12