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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
韩伟华 [1]
汪炼成 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2006 [2]
2004 [1]
2000 [1]
1998 [2]
1997 [1]
语种
英语 [7]
出处
1998 5TH I... [1]
EUROPEAN P... [1]
ICO20 MATE... [1]
Internatio... [1]
JAPANESE J... [1]
OPTICAL IN... [1]
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收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
China Opt ... [1]
Chinese In... [1]
Int Commis... [1]
Univv Nebr... [1]
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知识图谱
SEMI OpenIR
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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专题:中国科学院半导体研究所
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Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Gong, Z (Gong, Zheng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Atomic Hydrogen
Molecular Beam Epitaxy
Step Arrays
Molecular-beam Epitaxy
Atomic-hydrogen
Vicinal Surface
Quantum Dots
Growth
Temperature
Irradiation
Mechanism
Mbe
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1632/266
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提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas
Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Gao WY
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Gao WY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Chemical Treatment
Quality
Technology
Films
Stability improvement of selective oxidation during the fabrication of InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser
会议论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 37 (6B), TOKYO, JAPAN, OCT 07-09, 1997
作者:
Pan Z
;
Zhang Y
;
Du Y
;
Wu RH
;
Pan Z Tokyo Inst Technol Precis & Intelligence Lab Midori Ku 4259 Nagatsuta Yokohama Kanagawa 2268503 Japan.
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提交时间:2010/11/15
Vcsel
Selective Oxidation
Stability
Wet Oxidation
Microstructure
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者:
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
;
Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Growth
Interdiffusion
Islands
Scale