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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
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动态控制高温炉内压力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  董志远
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1080/187  |  提交时间:2010/03/19
一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  刘祥林;  杨少延;  张晓沛;  董向芸
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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大功率激光二极管线列阵冷却装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓薇;  王书治;  孙海东;  李伟;  方高瞻;  蓝永生;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li-Yan, S;  Tie, L;  Wen-Zheng, Z;  Zhi-Ming, H;  Dong-Lin, L;  Hong-Ling, G;  Li-Jie, C;  Yi-Ping, Z;  Shao-Ling, G;  Jun-Hao, C;  Li-Yan, S, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  She-Song, H;  Zhi-Chuan, N;  Feng, Z;  Hai-Qiao, N;  Huan, Z;  Dong-Hai, W;  Zheng, S;  She-Song, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshuang@red.semi.ac.cn
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Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Huang BJ;  Xu Zhang;  Zan Dong;  Wei Wang;  Chen HD;  Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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