SOI衬底CMOS工艺电光调制器
陈弘达; 黄北举; 董 赞 
2009-06-17
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3998
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-12-12
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710179413
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9124
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,黄北举,董 赞 . SOI衬底CMOS工艺电光调制器[P]. 2009-06-17.
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