SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2010-01-13 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法,包括如下步骤:步骤1:选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底;步骤2:对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理;步骤3:将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间,然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明,生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm,即成功地抑制了反相畴的产生,其晶体质量优于目前世界的最好结果。
Application Date2008-07-09
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810116412.6
Patent Agent周国城:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13430
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王鹏飞,吴东海,吴兵朋,等. 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法[P]. 2010-08-12.
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