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| 64×64 InGaAs InP单光子探测雪崩焦平面阵列芯片的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
Authors: 王帅
 Adobe PDF(5214Kb) |  Favorite | View/Download：613/23 | Submit date：2021/11/26 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
Authors: 周媛
Adobe PDF(5304Kb) | Favorite | View/Download：540/7 | Submit date：2021/06/18 |
| InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors: 李慧梅
Adobe PDF(3836Kb) | Favorite | View/Download：1205/79 | Submit date：2016/06/02
Ingaas/inp Apd Ingaas/inalas Apd 增益 暗电流 击穿电压 扩散zn掺杂 |
| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors: 曹可慰
Adobe PDF(3546Kb) | Favorite | View/Download：1244/23 | Submit date：2015/12/08
锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
Adobe PDF(1263Kb) | Favorite | View/Download：1166/463 | Submit date：2010/11/23 |
| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
Adobe PDF(283Kb) | Favorite | View/Download：1572/226 | Submit date：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
Adobe PDF(496Kb) | Favorite | View/Download：955/195 | Submit date：2010/11/23 |
| 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
Accomplishers: 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
Favorite | View/Download：1253/0 | Submit date：2010/04/13
磷化铟单晶 |
| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
Accomplishers: 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
Favorite | View/Download：1236/0 | Submit date：2010/04/13
磷化铟 |
