| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 | |
| 曹可慰 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 赵有文 |
| 2015-12 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料物理与化学 |
| Keyword | 锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2015-12-08 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26627 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 曹可慰. VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 博士论文打印版评审后.pdf（3546KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment