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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2006
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
尹志冈
;
杨霏
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浏览/下载:1407/150
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1622Kb)
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浏览/下载:1190/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1333/153
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1187/169
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1243/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1265/128
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
张春玲
;
崔草香
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ren YY
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:948/261
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提交时间:2010/04/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)
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浏览/下载:1550/261
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:
王占国
;
陈涌海
;
叶小玲
JPEG(7Kb)
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提交时间:2009/09/19