利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
2006-05-31
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-11-18
语种中文
申请号200410009815
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3503
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨少延,柴春林,刘志凯,等. 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法[P]. 2006-05-31.
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