Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 | |
| 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 | |
| 2006-05-31 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2004-11-18 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200410009816 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3501 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延,柴春林,刘志凯,等. 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法[P]. 2006-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200410009816.pdf（1337KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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