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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong KL;  Lu SL;  Dong JR;  Zhou TF;  Jiang DS;  Wang RX;  Yang H;  Yang, H, CAS, Suzhou Inst Nano Tech & Nano Bion, Ruoshui Rd 398, Suzhou 215125, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, Z;  Xu, ZY;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: brwang04@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, Z;  Xu, ZY;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Ch inese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Ren YY;  Xu B;  Jin P;  Zhao C;  Wang ZG;  Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: cxcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan RF;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zeng Y;  Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Wang XD;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Reflectance-difference Spectroscopy  Indium Segregation  Ingaas/gaas Quantum Wells  Epitaxy-grown Ingaas/gaas  Surface Segregation  Interface  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Niu ZC;  Feng SL;  Miao ZH;  Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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