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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Wang, BR
;
Sun, Z
;
Xu, ZY
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
;
Wang, BR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: brwang04@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, BR
;
Sun, Z
;
Xu, ZY
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
;
Wang, BR, Ch inese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Ren YY
;
Xu B
;
Jin P
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: cxcui@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan RF
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Zeng Y
;
Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He J
;
Wang XD
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
;
He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1236/0
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提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
;
Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:913/265
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12