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The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
Authors:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
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铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 494-498
Authors:  彭长涛;  陈诺夫;  张富强;  林兰英
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非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 431
Authors:  彭长涛;  陈诺夫;  林兰英;  柯俊
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ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究 成果
1996
Accomplishers:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
Favorite  |  View/Download:669/0  |  Submit date:2010/04/13
Si-gaas  
短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 730
Authors:  莫党;  谭健华;  陈宗圭;  杨小平;  张鹏华;  张伟;  陈良尧
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提高砷化镓材料质量的研究 成果
1985
Accomplishers:  林兰英;  彭瑞伍;  林耀望;  莫培根;  方兆强
Favorite  |  View/Download:607/0  |  Submit date:2010/04/13
砷化镓材料  
一种图像传感器特性参数测量分析系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  秦琦;  吴南健;  冯鹏;  刘力源
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